Samsung – memorie Flash de 4 ori mai rapid? pentru telefoane

36

 


Noile chip-uri Samsung sunt dotate cu propriul controller de memorie ?i celule MLC Nand Flash cu tehnologietoggle DDR 2.0, proiectate pentru o l??ime de band? teoretic? de 200 MB/s. Memoriile sunt produse folosindlitografie pe 20 nm ?i disponibile în versiuni cu capacit??i de 16 GB, 32 GB ?i 64 GB. 


Chip-urile cu tehnologie toggle DDR 2.0, similare celor folosite în nou? genera?ie de SSD-uri Samsung, ofer? performante de pân? la patru ori mai mari decât cele din vechia genera?ie.

Acestea suport? aproximativ 1500 IOPS(acces?ri pe secund?) la opera?iile de scriere ?i 3500 IOPS la cele de scriere, îmbun?t??ind dramatic performan?ele la lucrul cu fi?iere de mici dimensiuni ?i înc?rcarea aplica?iilor. Vitezele de transfer ating 50 MB/s la opera?iile de scriere ?i 140 MB/s la cele de citire a datelor. 


Chiar dac? Samsung nu a dezv?luit lista produc?torilor OEM abona?i la noul tip de memorie, ne putem a?tepta ca în afar? de tablete ?i telefoane Samsung, chip-urile de memorie toggle DDR 2.0 s? ajung? rapid ?i înprodusele rivalului Apple – unul dintre principalii clien?ii ai companiei. 

Sursa : orange