Micron si Intel lanseaza noua memorie flash 3D de tip NAND

24

Micron si Intel Corporation au lansat tehnologia 3D NAND, care aranjeaza vertical straturile de celule de stocare de date pentru a crea dispozitive cu o capacitate de stocare de trei ori mai mare fata de tehnologiile NAND actuale.

 

Aceasta permite o mai mare stocare intr-un spatiu mai mic, aducand reduceri semnificative de costuri, consum redus de energie si performanta crescuta pentru o serie de dispozitive mobile, precum si cele mai solicitate activitati de companie.

 

Unul dintre cele mai importante aspecte ale aceste tehnologii este in celula de memorie. Intel si Micron au ales sa utilizeze o celula de poarta flotanta, un design universal imbunatatit de memorie flash cu structura planara. Aceasta este o prima utilizare a unei celule de poarta flotanta in 3D NAND, fiind alegerea cheie in proiectare pentru a permite o performanta mai mare, calitate superioara si fiabilitate.